Samsung inicia produção em massa de DRAM DDR5 de 12nm
Samsung inicia produção em massa de DRAM DDR5 de 12nm
A tecnologia promete 7,2 gigabits por segundo (Gbps), o que se traduz no processamento de dois filmes em resolução Ultra HD de 30 gigabytes (GB) em apenas um segundo
A Samsung anunciou a produção em massa da primeira memória DRAM DDR5 com litografia de 12 nanômetros (nm) da indústria, depois de anunciada em dezembro do ano passado, com capacidade de 16 gigabytes (GB).
A DRAM DDR5 usa litografia avançada de ultravioleta extremo (EUV) multicamadas e apresenta a maior densidade de matriz do setor, o que permite um ganho de 20% na produtividade do wafer. Isso também reduz o consumo de energia em até 23%, em comparação com a DRAM anterior.
A nova memória usa um novo material que aumenta a capacitância da célula, o que resulta em uma diferença significativa de potencial elétrico nos sinais de dados, tornando mais fácil distingui-los com precisão.
A tecnologia promete 7,2 gigabits por segundo (Gbps), o que se traduz no processamento de dois filmes em resolução Ultra HD de 30 gigabytes (GB) em apenas um segundo.
Disponibilidade
A DRAM DDR5 de 12nm da Samsung entrou em produção em massa e será usada em uma ampla gama de segmentos de mercado, incluindo a computação de próxima geração, data centers e sistemas orientados por Inteligência Artificial (IA).
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